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【消息】力晶用第二座12英寸厂将导入90纳米制程

发布时间:2020-11-17 09:58:35 阅读: 来源:书籍厂家

6月6日消息,3日力晶12B晶圆厂正式启用,2000年时其第一座12英寸厂正式动土,董事长黄崇仁便许下诺言,未来投资我国台湾绝对不会因经济因素而有所改变,并承诺接下来每2年要再兴建1座全新12英寸厂,如今在12A及12B厂相继完工启用后,力晶为展现其深耕我国台湾的决心,未来将再投入约新台币2,000亿元(约合人民币530.2亿元)建造第三座及第四座12英寸厂,届时有高达95%比重用于投资我国台湾市场。 据港台媒体报道,3日黄崇仁于12B厂正式启用典礼中表示,力晶对深耕我国台湾市场的决心绝对不会有所改变,虽每年半导体产业经济起起落落,不过再怎样波动,还是会依照当初规划每2年左右在我国台湾兴建1座全新12英寸厂,而正式启用的12B便是对当初承诺的最佳印证。 接下来力晶将在新竹科学园区第三期兴建第三座12英寸厂,而第四座12英寸厂亦希望能建置在新竹附近,黄崇仁表示,力晶第一座12英寸厂(12A)月产能已达4.5万片的满载水位,至于新启用的12B厂,估计总投资额将近600亿元(约合人民币159.1亿元),拥有1.4万平方公尺面积的无尘室,预计最大月产能将可达到4万片,年底前12A加上12B 2厂总产能估计可上看7.5万片,2006年更将扩充到约10万片产能。 黄崇仁进一步指出,力晶当前所有标准型DRAM产品已全数转至12英寸厂生产,且是全球DRAM厂中唯一1家,因此对力晶而言,可说拥有绝佳量产成本效益,而接下来2座12英寸厂也将同时专注于NAND型Flash芯片组制造,至于现有的 8英寸厂将逐渐转为利基型晶圆代工服务。 总经理谢再居表示,目前12B厂月产能已达1.5万片,依力晶规划,2005年底12B厂投片量将由原先2~2.5万片提高至3~3.5万片,而产能扩充到一定程度后,不排除将会独自挪出一座12英寸厂全数投产NAND型Flash芯片组,估计未来半年到1年时间内,力晶12英寸厂产能将会有约1万片转移给瑞萨(Renesas)代工AG-AND型Flash芯片组。 至于90纳米制程何时投产,黄崇仁则表示,2005年底会进行试产,2006年将开始渐采用90纳米量产,然重要的是,即使2005年底还未采用90纳米投产DRAM颗粒,但力晶标准型DRAM颗粒包含封装测试成本,1颗256Mb的DDR颗粒报价将可低于2美元,谢再居也认为,到2005年底前价格只要维持在2.5~2.8美元,对力晶来说算是相当不错。

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